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Device Physics for Engineering Design of Heavily Doped Regions in Pn-junction Silicon Solar Cells

Lingua IngleseInglese
Libro In brossura
Libro Device Physics for Engineering Design of Heavily Doped Regions in Pn-junction Silicon Solar Cells MUHAMMED SHIBIB
Codice Libristo: 22569085
Casa editrice Dissertation Discovery Company, maggio 2019
Abstract: This dissertation presents a quantitative study of the physical mechanisms underlying the... Descrizione completa
? points 162 b
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Abstract: This dissertation presents a quantitative study of the physical mechanisms underlying the anomolously large recombination current experimentally observed in heavily doped regions of silicon pn-junction solar cells and bipolar transistors. The

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Informazioni sul libro

Titolo completo Device Physics for Engineering Design of Heavily Doped Regions in Pn-junction Silicon Solar Cells
Lingua Inglese
Rilegatura Libro - In brossura
Data di pubblicazione 2019
Numero di pagine 206
EAN 9780530008127
ISBN 0530008122
Codice Libristo 22569085
Peso 490
Dimensioni 216 x 279 x 11
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