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Process and Device Simulation for MOS-VLSI Circuits

Lingua IngleseInglese
Libro In brossura
Libro Process and Device Simulation for MOS-VLSI Circuits P. Antognetti
Codice Libristo: 02190676
Casa editrice Springer, ottobre 2011
Proceedings of the NATO Advanced Study Institute on Process and Device Simulation for MOS-VLSI Circu...
? points 132 b
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Proceedings of the NATO Advanced Study Institute on Process and Device Simulation for MOS-VLSI Circuits, Sogesta, Urbino, Italy, July 12-23, 1982

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Informazioni sul libro

Titolo completo Process and Device Simulation for MOS-VLSI Circuits
Autore P. Antognetti, D.A. Antoniadis, Robert W. Dutton, W.G. Oldham
Lingua Inglese
Rilegatura Libro - In brossura
Data di pubblicazione 2011
Numero di pagine 636
EAN 9789400968448
ISBN 9400968442
Codice Libristo 02190676
Casa editrice Springer
Peso 961
Dimensioni 155 x 235 x 34

Categorie

Tecnologia, Ingegneria, Agricoltura, processi industriali > Ingegneria elettronica e delle comunicazioni > Ingegneria elettronica > Elettronica: circuiti e componenti
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