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O crescente progresso e desenvolvimento da indústria de telecomunicaçőes comerciais até os mais modernos sistemas militares, săo exigidos incessantes estudos para a criaçăo e melhorias de dispositivos eletrônicos passivos de miniaturizaçăo, alto desempenho eletromagnético, confiabilidade e baixo custo. Muitos materiais para Radiofrequęncia e microondas tęm sido amplamente usados em uma variedade de aplicaçőes nestes segmentos. Nestas aplicaçőes, as mais recentes tecnologias utilizam cerâmicas com baixa temperatura de sinterizaçăo, materiais de baixo ponto de fusăo, materiais dielétricos com alta constante dielétrica, baixa perda dielétrica e baixo valor para os coeficientes de temperatura de frequęncia de ressonância. Cerâmicas dielétricas a base de Bismuto săo candidatas como materiais de baixa temperatura de sinterizaçăo e tęm sido estudadas amplamente. Este trabalho apresenta o desenvolvimento e caracterizaçăo de duas séries cerâmicas tendo como base uma matriz de niobato de bismuto, material conhecido por suas excelentes propriedades dielétricas. As séries cerâmicas foram produzidas a partir da reaçăo de estado sólido, com a utilizaçăo de moagem mecânica de alta energia.
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