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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs

Name: Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs
Brand: Springer Verlag GmbH
SKU: 01705627
Price: 152.59 EUR
Availability: InStock
Author: Viktor Sverdlov
ISBN: 9783709103814

Viktor Sverdlov

Lingua

Inglese

Libro Rigido

Codice Libristo: 01705627

Casa editrice Springer Verlag GmbH, novembre 2010

Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an import... Descrizione completa

Codice Libristo: 01705627

373 b

152.59 €

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Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is investigated in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given.