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CMOS Gate-Stack Scaling - Materials, Interfaces and Reliability Implications: Volume 1155
Lingua
Inglese
Inglese
Libro
In brossura
To address the increasing demands of device scaling, new materials are being introduced into convent...
Descrizione completa
Codice Libristo: 02439020
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80 b
80 b
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To address the increasing demands of device scaling, new materials are being introduced into conventional Si CMOS processing at an unprecedented rate. Presentations collected here focus on understanding, from a chemistry and materials perspective, the mechanism of interface formation and defects at interfaces, for both conventional Si and alternative channel (Ge or III-V) systems. Several papers address reliability concerns for high-k/metal gate (basic physical models, charge trapping, etc.), while others cover characterization of the thin films and interfaces which comprise the gate stack. Topics include: advanced Si-based gate stacks; and alternate channel materials.
Attrice
&
Poliglotta
EWA KASP
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Informazioni sul libro
Titolo completo
CMOS Gate-Stack Scaling - Materials, Interfaces and Reliability Implications: Volume 1155
Lingua
Inglese
Inglese
Rilegatura
Libro - In brossura
Data di pubblicazione
2014
Numero di pagine
194
EAN
9781107408326
ISBN
1107408326
Codice Libristo
02439020
Casa editrice
Cambridge University Press
Peso
27
Dimensioni
152 x 229 x 10
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